zeiss smt ag股份制改造后，资金有了保障，研发实力大增，产品更新换代加快，还增加了三条生产线，源源不断的订单保证了现金流和利润，gca的短板、光刻机光学系统的供应也有了保障。

一步先步步先！

zeiss smt ag的光刻机光学系统技术要超过nikon还需要时间，蔡司海登海姆公司和蔡司耶拿公司正在商议合并事宜，一旦正式合并，一家世界级光学巨无霸将诞生。

重生者预感nikon会率先研制成功8英寸晶圆和250nm制程工艺的光刻机，造成gca的股价下跌，gca随后研制成功8英寸晶圆和250nm制程工艺的光刻机，凭借不断升级换代的磁悬浮式双工作台系统和蔡司公司供应的光刻机光学系统，引领行业发展，

双方你追我赶，一旦遭遇65nm制程工艺的瓶颈，nikon和gca的科学家都无能为力。

凋刻东西，花样要精细，刀尖就得锋利，如何把光刻机193nm的光波再“磨”细？

前世九十年代，采用的是193nm波长的干式光刻技术，随着光刻机的制程工艺不断进步，nikon半导体设备公司率先攻克8英寸晶圆和350nm、250nm、180、130、100、90nm、65nm的制程工艺，引领行业发展的步伐，垄断了高端光刻机的市场份额，但在65nm制程工艺上遇到了瓶颈，nikon科学家试验了多种技术，攻关十多年，都无法突破这道挡在半导体产业的世界极难题。

摩尔定律也遇到挑战。

nikon等日本光刻机科学家主张在前代技术的基础上，研制f2激光器（波长157nm），走稳健发展的道路；新生的euv llc联盟科学家则押注更加激进的极紫外光技术，用仅有十几纳米的极紫外光，刻10nm以下的芯片制程……

想法是好的，但研究新一代光刻机的难度巨大，随着亚洲金融危机降临，全球半导体产业陷入低迷，新一代光刻机的研制陷入停滞状态。

直到二零零七年，后起之秀asml采用台积电林工程师的技术方向，率先研制成功arfi准分子激光器和浸没式光刻系统，突破了波长193nm的世界级光学难题，直接越过157nm波长的天堑，降至132nm波长，制造的新一代光刻机突破了65nm制程工艺，实现了45nm制程工艺，超越nikon高端光刻机，从nikon的手里抢到inter、ibm、amd、hp、三星和台积电等所需高端光刻机的订单。

nikon从此开始走下坡路，随着euv光刻机的问世，asml垄断了全球高端光刻机市场。

孙健私下与邓国辉和钱富强交流，干性光刻不能突破193nm的波长，能否采用湿性光刻？在透镜和晶圆之间加入去离子水，改变折光度试试？湿性光刻需要重新设计特殊的透镜……

重生者虽然只知道浸没式光刻机的皮毛，但提前十多年指引光刻机行业发展的正确方向，有磁悬浮式双工作台系统问世的先例，邓国辉和钱富强肯定不会怀疑方向性问题，有资金保障，研制成功就只剩下时间问题。

到时，bsec率先研制成功arfi准分子激光器和浸没式光学系统，就能在世界光刻机行业有话语权，实现弯道超车。